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IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohm TO220

El MOSFET IRF740 es un componente electr贸nico fundamental en electr贸nica moderna. Como MOSFET de canal N, amplifica y conmuta se帽ales el茅ctricas con eficiencia. Su encapsulado TO-220 ofrece practicidad con tres pines de conexi贸n. Con una corriente de drenaje continua de 10A y un voltaje de drenaje a fuente de 400V, demuestra robustez en diversas aplicaciones. La resistencia de encendido de 0.55惟 y voltaje umbral de encendido de 20V garantizan un rendimiento eficiente. Sus especificaciones, como temperatura de operaci贸n de -55掳C a 150掳C, lo hacen vers谩til y confiable para amplificaci贸n, interruptores electr贸nicos y reguladores de voltaje, siendo esencial en circuitos integrados (ICs).

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IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohmios TO220, un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Oxido-Semiconductor, por sus siglas en ingl茅s) es un tipo de transistor utilizado en electr贸nica para amplificar o conmutar se帽ales el茅ctricas. Pertenece a la familia de transistores de efecto de campo y se utiliza com煤nmente en circuitos electr贸nicos debido a su eficiencia y capacidad de conmutaci贸n r谩pida. El MOSFET tiene tres terminales principales: compuerta (gate), surtidor (source) y drenador (drain).

Existen dos tipos b谩sicos de MOSFET: de canal N (N-MOS) y de canal P (P-MOS), dependiendo del tipo de carga que transportan los portadores de carga (electrones para N-MOS, huecos para P-MOS). La operaci贸n del MOSFET se basa en la aplicaci贸n de un voltaje en la compuerta para controlar el flujo de corriente entre el surtidor y el drenador.

Los MOSFET se utilizan en una variedad de aplicaciones, como amplificaci贸n de se帽ales, interruptores electr贸nicos, reguladores de voltaje, y en la construcci贸n de circuitos integrados (ICs). Su capacidad para conmutar r谩pidamente y su eficiencia en t茅rminos de consumo de energ铆a los hace fundamentales en la electr贸nica moderna.

Caracter铆sticas

  • Tipo de Dispositivo: MOSFET de Canal N
  • Encapsulado: TO-220 (con tres pines para conexi贸n).
  • Corriente de Drenaje Continua (ID): Aproximadamente 10 amperios (dependiendo de las condiciones de operaci贸n y disipaci贸n de calor).
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (VDS): 400V – Esto es el voltaje m谩ximo que puede soportar el dispositivo entre el drenador y el surtidor.
  • Resistencia de Encendido (RDS (on)) 0.55惟: Especifica la resistencia efectiva del MOSFET cuando est谩 encendido.
  • Voltaje Umbral de Encendido (VGS (th)) 20V: Voltaje necesario en la compuerta para iniciar la conducci贸n.

Especificaciones del IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohmios TO220

  • Corriente de Drenaje (ID): 10A.
  • Voltaje de la Compuerta al Surtidor (VGS): 卤 20V
  • Temperatura de Operaci贸n rango de -55掳C a 150掳C.
  • Mosfet de potencia canal N
  • VDSS聽400 V
  • RDS (on) 0.55 惟
  • PW聽134 W
  • Encapsulado TO220
  • Tensi贸n umbral Vgs: 4 V

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