IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohmios TO220, un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Oxido-Semiconductor, por sus siglas en ingl茅s) es un tipo de transistor utilizado en electr贸nica para amplificar o conmutar se帽ales el茅ctricas. Pertenece a la familia de transistores de efecto de campo y se utiliza com煤nmente en circuitos electr贸nicos debido a su eficiencia y capacidad de conmutaci贸n r谩pida. El MOSFET tiene tres terminales principales: compuerta (gate), surtidor (source) y drenador (drain).
Existen dos tipos b谩sicos de MOSFET: de canal N (N-MOS) y de canal P (P-MOS), dependiendo del tipo de carga que transportan los portadores de carga (electrones para N-MOS, huecos para P-MOS). La operaci贸n del MOSFET se basa en la aplicaci贸n de un voltaje en la compuerta para controlar el flujo de corriente entre el surtidor y el drenador.
Los MOSFET se utilizan en una variedad de aplicaciones, como amplificaci贸n de se帽ales, interruptores electr贸nicos, reguladores de voltaje, y en la construcci贸n de circuitos integrados (ICs). Su capacidad para conmutar r谩pidamente y su eficiencia en t茅rminos de consumo de energ铆a los hace fundamentales en la electr贸nica moderna.
Caracter铆sticas
- Tipo de Dispositivo: MOSFET de Canal N
- Encapsulado: TO-220 (con tres pines para conexi贸n).
- Corriente de Drenaje Continua (ID): Aproximadamente 10 amperios (dependiendo de las condiciones de operaci贸n y disipaci贸n de calor).
- Voltaje de Drenaje a Fuente (VDS): 400V – Esto es el voltaje m谩ximo que puede soportar el dispositivo entre el drenador y el surtidor.
- Resistencia de Encendido (RDS (on)) 0.55惟: Especifica la resistencia efectiva del MOSFET cuando est谩 encendido.
- Voltaje Umbral de Encendido (VGS (th)) 20V: Voltaje necesario en la compuerta para iniciar la conducci贸n.
Especificaciones del IRF740 Mosfet Canal N 10A 400V 0,55 Ohmios TO220
- Corriente de Drenaje (ID): 10A.
- Voltaje de la Compuerta al Surtidor (VGS): 卤 20V
- Temperatura de Operaci贸n rango de -55掳C a 150掳C.
- Mosfet de potencia canal N
- VDSS聽400 V
- RDS (on) 0.55 惟
- PW聽134 W
- Encapsulado TO220
- Tensi贸n umbral Vgs: 4 V
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