Transistor de potencia MOSFET canal N, IXFH40N50Q
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 30V
Corriente continua de Drain es 40A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 20V/ns
Potencia de disipación es 500W
Resistencia Drain a Source máxima es 140mΩ
Carga total de Gate es 130nC
Tiempo de retardo de apagado es 56ns
Tiempo de retardo de encendido es 17ns
Tiempo de recuperación inversa es 250ns
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 30V
Corriente continua de Drain es 40A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 20V/ns
Potencia de disipación es 500W
Resistencia Drain a Source máxima es 140mΩ
Carga total de Gate es 130nC
Tiempo de retardo de apagado es 56ns
Tiempo de retardo de encendido es 17ns
Tiempo de recuperación inversa es 250ns
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