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Transistor De Silicio NPN Encapsulado TO-39 2N3019

2N3019 – Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 400 MHz, 800 mW, 1 A, 300 hFE.

El 2N3019 es un transistor de silicio complementario de 80V NPN, corriente de colector 1A, encapsulado TO-39, diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. El transistor NTE128 presenta altos voltajes de ruptura, bajas corrientes de fuga, baja capacidad y una versión beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio.

$6,250 + iva

Agotado

  • Colector 140V a voltaje base (VCBO)
  • Emisor 7V a voltaje base (VEBO)
  • 16.5 ° C / W Resistencia térmica, unión a caja
  • 89.5 ° C / W Resistencia térmica, unión a ambiente.

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