Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutaci贸n r谩pida, FQP13N50C
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es 卤 30V
Corriente continua de Drain es 13A
Recuperaci贸n de diodo pico dv/dt es 4.5V/ns
Potencia de disipaci贸n es 195W
Resistencia Drain a Source m谩xima es 0.48惟
Carga total de Gate es 43nC
Tiempo de retardo de apagado es 130ns
Tiempo de retardo de encendido es 25ns
Tiempo de recuperaci贸n inversa es 410ns