Transistor de potencia MOSFET canal N, FCP9N60N
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 600V
Voltaje de Gate a Source (GS) 卤 30V
Corriente continua de Drain 9A
Recuperaci贸n de diodo pico dv/dt 20V/ns
Potencia de disipaci贸n 83.3W
Resistencia Drain a Source m谩xima 0.385惟
Carga total de Gate 22nC a 10V
Tiempo de retardo de apagado 36.9ns
Tiempo de retardo de encendido 12.7ns
Tiempo de recuperaci贸n inversa 213ns