Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutaci贸n r谩pida, FDP18N50
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es 卤 30V
Corriente continua de Drain es 18A
Recuperaci贸n de diodo pico dv/dt es 4.5V/ns
Potencia de disipaci贸n es 235W
Resistencia Drain a Source m谩xima es 0.265惟
Carga total de Gate es 45nC
Tiempo de retardo de apagado es 95ns
Tiempo de retardo de encendido es 55ns
Tiempo de recuperaci贸n inversa es 500ns