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Mosfet Canal N De 200V 18A 180mΩ To220 IRF640
MOSFET canal N, 200V, 18A, 180m?
$2,585 + iva
Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRF640
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 18A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 125W
Resistencia Drain a Source máxima es 180mΩ
Carga total de Gate es 70nC
Tiempo de retardo de apagado es 45ns
Tiempo de retardo de encendido es 14ns
Tiempo de recuperación inversa es 300ns
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 18A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 125W
Resistencia Drain a Source máxima es 180mΩ
Carga total de Gate es 70nC
Tiempo de retardo de apagado es 45ns
Tiempo de retardo de encendido es 14ns
Tiempo de recuperación inversa es 300ns
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