Transistor de potencia MOSFET canal N, IXFH74N20
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 74A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 360W
Resistencia Drain a Source máxima es 30mΩ
Carga total de Gate es 280nC
Tiempo de retardo de apagado es 120ns
Tiempo de retardo de encendido es 40ns
Tiempo de recuperación inversa es 200ns
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 74A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 360W
Resistencia Drain a Source máxima es 30mΩ
Carga total de Gate es 280nC
Tiempo de retardo de apagado es 120ns
Tiempo de retardo de encendido es 40ns
Tiempo de recuperación inversa es 200ns
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