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Lun. a Vie.
8:00am – 5:30pm
Sábados.
8:30am – 1:00pm
Mosfet Canal N De 500V 34A 0.11Ω STY34NB50
MOSFET canal N, 500V, 34A, 0.11Ω
Agotado
Transistor de potencia MOSFET canal N, STY34NB50
Encapsulado MAX247 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 30V
Corriente continua de Drain es 34A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 4.5V/ns
Potencia de disipación es 450W
Resistencia Drain a Source es 0.11Ω
Carga total de Gate es 159nC a 10V
Tiempo de subida es 32ns
Tiempo de bajada es 53ns
Tiempo de recuperación inversa es 950ns
