Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutaci贸n r谩pida, IRF1404
Encapsulado TO-220AB de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 40V
Voltaje de Gate a Source (GS) es 4V
Corriente continua de Drain es 202A
Recuperaci贸n de diodo pico dv/dt es 1.5V/ns
Potencia de disipaci贸n es 333W
Resistencia Drain a Source m谩xima (RDS) es 4m惟
Carga total de Gate es 131nC
Tiempo de retardo de apagado es 46ns
Tiempo de retardo de encendido es 17ns