Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutaci贸n r谩pida, FQP27P06
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es -60V
Voltaje de Gate a Source (GS) es 卤 25V
Corriente continua de Drain es -27A
Recuperaci贸n de diodo pico dv/dt es -7V/ns
Potencia de disipaci贸n es 120W
Resistencia Drain a Source m谩xima es 0.07惟
Carga total de Gate es 33nC
Tiempo de retardo de apagado es 30ns
Tiempo de retardo de encendido es 18ns
Tiempo de recuperaci贸n inversa es 105ns