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Mosfet Canal P De 1000V 1A 600mΩ Encapsulado HVMDIP IRFD9120
MOSFET canal P, -100V, -1A, 600m?
$12,650 + iva
Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutación rápida, IRFD9120
Encapsulado HD-1 de 4 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es -100V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es -1A
Recuperación de diodo pico dv/dt es -5.5V/ns
Potencia de disipación es 1.3W
Resistencia Drain a Source máxima es 600mΩ
Carga total de Gate es 18nC
Tiempo de retardo de apagado es 21ns
Tiempo de retardo de encendido es 9.6ns
Tiempo de recuperación inversa es 98ns
Encapsulado HD-1 de 4 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es -100V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es -1A
Recuperación de diodo pico dv/dt es -5.5V/ns
Potencia de disipación es 1.3W
Resistencia Drain a Source máxima es 600mΩ
Carga total de Gate es 18nC
Tiempo de retardo de apagado es 21ns
Tiempo de retardo de encendido es 9.6ns
Tiempo de recuperación inversa es 98ns
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