Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutaci贸n r谩pida, IRF4905
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es -55V
Voltaje de Gate a Source (GS) es 卤 20V
Corriente continua de Drain es -74A
Recuperaci贸n de diodo pico dv/dt es -5V/ns
Potencia de disipaci贸n es 200W
Resistencia Drain a Source m谩xima es 20m惟
Carga total de Gate es 180nC
Tiempo de retardo de apagado es 61ns
Tiempo de retardo de encendido es 18ns
Tiempo de recuperaci贸n inversa es 89ns