Transistor de potencia MOSFET canal N, FCP9N60N
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 600V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 30V
Corriente continua de Drain 9A
Recuperación de diodo pico dv/dt 20V/ns
Potencia de disipación 83.3W
Resistencia Drain a Source máxima 0.385Ω
Carga total de Gate 22nC a 10V
Tiempo de retardo de apagado 36.9ns
Tiempo de retardo de encendido 12.7ns
Tiempo de recuperación inversa 213ns
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