Transistor de potencia MOSFET canal N, IRF540 Encapsulado TO-220 de 3 pines Voltaje de Drain a Source (DS) es 100V Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V Corriente continua de Drain es 22A Recuperación de diodo pico dv/dt es 9V/ns Potencia de disipación es 85W Resistencia Drain a Source máxima es 77mΩ Carga total de Gate es 30nC Tiempo de retardo de apagado es 50ns Tiempo de retardo de encendido es 60ns Tiempo de recuperación inversa es 100ns
