Transistor de potencia MOSFET canal N, IXFX90N20Q
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 90A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 500W
Resistencia Drain a Source máxima es 22mΩ
Carga total de Gate es 190nC
Tiempo de retardo de apagado es 82ns
Tiempo de retardo de encendido es 35ns
Tiempo de recuperación inversa es 200ns
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