Transistor de potencia MOSFET canal N, FCP380N60
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 600V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V DC, ± 30V AC
Corriente continua de Drain es 10.2A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 20V/ns
Potencia de disipación es 106W
Resistencia Drain a Source máxima es 380mΩ
Carga total de Gate es 30nC a 10V
Tiempo de retardo de apagado es 45ns
Tiempo de retardo de encendido es 14ns
Tiempo de recuperación inversa es 240ns
Documentos:
