MOSFET canal N, FCP190N60
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 600V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V DC, ± 30V AC
Corriente continua de Drain es 20.2A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 20V/ns
Potencia de disipación es 208W
Resistencia Drain a Source máxima es 199mΩ
Carga total de Gate es 57nC a 10V
Tiempo de retardo de apagado es 64ns
Tiempo de retardo de encendido es 20ns
Tiempo de recuperación inversa es 280ns
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