Transistor de potencia MOSFET canal N, IRF540
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 100V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 22A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 9V/ns
Potencia de disipación es 85W
Resistencia Drain a Source máxima es 77mΩ
Carga total de Gate es 30nC
Tiempo de retardo de apagado es 50ns
Tiempo de retardo de encendido es 60ns
Tiempo de recuperación inversa es 100ns
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