Mosfet Canal N de 18A TO-220 FDP18N50

El MOSFET Canal N FDP18N50 de onsemi (antes Fairchild) es un transistor de potencia de la familia UniFET™ que soporta 500 V y 18 A (10.8 A a 100 °C), en encapsulado TO-220. Su tecnología planar DMOS reduce la resistencia de conducción y ofrece una conmutación rápida, por lo que es ideal para fuentes conmutadas (SMPS), corrección activa del factor de potencia (PFC), balastos electrónicos e inversores.

Características

• Voltaje drenador-fuente de 500 V
• Corriente de drenador continua de 18 A a 25 °C y 10.8 A a 100 °C
• Baja resistencia de conducción: RDS(on) típica de 220 mΩ (máx. 265 mΩ) con VGS = 10 V
• Baja carga de compuerta: 45 nC típica
• Baja capacitancia Crss (25 pF típica) para una conmutación rápida
• 100% probado en avalancha
• Encapsulado TO-220 para montaje through-hole
• Cumple RoHS

Especificaciones

Valores máximos
Voltaje drenador-fuente (VDSS)	500 V
Corriente de drenador continua (ID)	TC = 25 °C	18 A
	TC = 100 °C	10.8 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS)	±30 V
Disipación de potencia (PD)	235 W (TC = 25 °C)
Temperatura de operación (TJ)	-55 °C a 150 °C
Características eléctricas
Resistencia de conducción (RDS(on))	220 mΩ típ. / 265 mΩ máx. (VGS = 10 V, ID = 9 A)
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th))	Máx. 5 V (ID = 250 µA)
Carga total de compuerta (Qg)	45 nC típ. / 60 nC máx. (VGS = 10 V)
Capacitancia de entrada (Ciss)	Máx. 2860 pF (VDS = 25 V)
Capacitancia de transferencia inversa (Crss)	25 pF típ.
Características generales
Fabricante	onsemi (Fairchild)
Tipo	MOSFET de potencia, canal N, modo enriquecimiento
Tecnología	UniFET™ (planar DMOS)
Encapsulado	TO-220-3 (through-hole)
Configuración de pines	1: Compuerta (G) / 2: Drenador (D) / 3: Fuente (S)