Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRF640
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 200V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 18A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5V/ns
Potencia de disipación es 125W
Resistencia Drain a Source máxima es 180mΩ
Carga total de Gate es 70nC
Tiempo de retardo de apagado es 45ns
Tiempo de retardo de encendido es 14ns
Tiempo de recuperación inversa es 300ns
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