Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRF840
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 8A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 3.5V/ns
Potencia de disipación es 125W
Resistencia Drain a Source máxima es 850mΩ
Carga total de Gate es 63nC
Tiempo de retardo de apagado es 49ns
Tiempo de retardo de encendido es 14ns
Tiempo de recuperación inversa es 460ns
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