Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutación rápida, IRFD9120
Encapsulado HD-1 de 4 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es -100V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es -1A
Recuperación de diodo pico dv/dt es -5.5V/ns
Potencia de disipación es 1.3W
Resistencia Drain a Source máxima es 600mΩ
Carga total de Gate es 18nC
Tiempo de retardo de apagado es 21ns
Tiempo de retardo de encendido es 9.6ns
Tiempo de recuperación inversa es 98ns
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