Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutación rápida, IRF4905
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es -55V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es -74A
Recuperación de diodo pico dv/dt es -5V/ns
Potencia de disipación es 200W
Resistencia Drain a Source máxima es 20mΩ
Carga total de Gate es 180nC
Tiempo de retardo de apagado es 61ns
Tiempo de retardo de encendido es 18ns
Tiempo de recuperación inversa es 89ns
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