Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT con diodo de recuperación suave ultra rápida canal N, IRG4PC40FD
Frecuencia de conmutación 1KHz - 5KHz
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Colector a Emisor (CE) es 600V
Voltaje de Gate a Emisor (GE) es ± 20V
Corriente continua de Colector es 27A
Potencia de disipación máxima es 160W
Voltaje de Colector a Emisor en saturación (CEon) es 1.5V
Carga total de Gate es 100nC
Tiempo de retardo de apagado es 230ns
Tiempo de retardo de encendido es 63ns
Tiempo de recuperación inversa del diodo es 42ns.
Documento:Información técnica 
