Transistor de potencia MOSFET canal N, IXTP75N10P
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 100V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 75A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 10V/ns
Potencia de disipación es 360W
Resistencia Drain a Source máxima es 25mΩ
Carga total de Gate es 74nC a 10V
Tiempo de retardo de apagado es 66ns
Tiempo de retardo de encendido es 27ns
Tiempo de recuperación inversa es 120ns.
Documento:Información técnica
