Transistor De Silicio NPN Encapsulado TO-39 2N3019

2N3019 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 400 MHz, 800 mW, 1 A, 300 hFE. El 2N3019 es un transistor de silicio complementario de 80V NPN, corriente de colector 1A, encapsulado TO-39, diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. El transistor NTE128 presenta altos voltajes de ruptura, bajas corrientes de fuga, baja capacidad y una versión beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio.