Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, FQP13N50C
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 30V
Corriente continua de Drain es 13A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 4.5V/ns
Potencia de disipación es 195W
Resistencia Drain a Source máxima es 0.48Ω
Carga total de Gate es 43nC
Tiempo de retardo de apagado es 130ns
Tiempo de retardo de encendido es 25ns
Tiempo de recuperación inversa es 410ns
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